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HVLP hyper very low profile electrodeposited copper foil product illustration

Hyper sehr niedriges Profil Kupfer folie

HVLP Hyper Sehr niedriges Profil Elektro abgeschiedene Kupfer folie

Die glatteste Oberfläche unter den heutigen kommerziellen Kupfer folien mit Rz von nur 1-1, 5 μm. Es wurde für mmWave über 28 GHz und Ultra-High-Speed-Verbindungen in KI-Trainings clustern entwickelt und ist ein grundlegendes Material für das Computing-Zeitalter.

· Produkt merkmale

  • Rz ≤ 1,5 μm niedrigste Rauheit
  • Df <0,003 Ultra niedriger Verlust
  • ≥ 56 Gbps ultra hohe Signale
  • HVLP-1 ~ 5 Unterstufen
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Roadmap zur Rauheit entwicklung

Oberflächen rauheit Evolution

STD
Standard folie
Rz 7-8μm
HTE
Hoch temperatur dehnung
Rz 7-8μm
RTF
Umgekehrt behandelt
Rz 4-6μm
LP
Niedriges Profil
Rz 3-4μm
VLP
Sehr niedriges Profil
Rz ≤ 2μm
HVLP
Hyper sehr geringes Profil
Rz ≤ 1,5 μm

Produkteinführung

Produkteinführung

HVLP-Kupfer folie (Hyper Very Low Profile) ist das höchste Niveau der heutigen kommerziellen Kupfer folien herstellung. Aufbauend auf VLP (Very Low Profile, Rz ≤ 2 μm) drückt es die Oberflächen rauheit weiter in Richtung der physikalischen Grenze und bringt Rz auf 1-1, 5 μm oder sogar niedriger (einige HVLP-5 grade erreichen Rz ≤ 1,0 μm).

Warum eine dermaßen glatte Oberfläche? Die Antwort ist der Skin-Effekt. Bei hohen Frequenzen (insbesondere> 10 GHz) fließt Wechselstrom nicht gleichmäßig durch den Leiter querschnitt, sondern konzentriert sich in einer sehr dünnen "Haut tiefe"-Schicht an der Oberfläche. Je höher die Frequenz, desto flacher die Haut tiefe. Bei 28 GHz mmWave beispiels weise beträgt die Haut tiefe von Kupfer nur etwa 0,4 μm. Wenn die Oberflächen spitzen und Täler (Rz) der Folie viel größer als die Haut tiefe sind, muss der Strom entlang einer gewundenen Oberfläche "kriechen", wodurch der effektive Weg stark verlängert, der Widerstand stark erhöht und das Signal stark abgeschwächt wird.

HVLP erreicht eine nahezu atomar flache Oberfläche durch streng kontrollierte Elektro abscheidung parameter (extrem niedrige additive Konzentration, hoch gleichmäßige Stromdichte und präzises Wärme feld management). Infolge dessen ist sein Einfüge verlust bei 28 GHz und darüber 60-70% niedriger als bei STD-Folie. Da sich KI-Trainings cluster auf SerDes-Raten von 56 Gbit/s/112 Gbit/s bewegen und die Komme rzialisierung von 5G-A / 6G mmWave beschleunigt, ist HVLP zu einem unersetzlichen strategischen Material geworden.

Schlüssel prozess merkmale

  • Oberflächen rauheit Rz: 1, 0-1, 5 μm (HVLP-5 erreicht ≤ 1,0 μm)
  • UnterstufenFünf Klassen: HVLP-1 / HVLP-2 / HVLP-3 / HVLP-4 / HVLP-5
  • Typisch Df: <0,003 (ultra niedriger Verlust grad)
  • Einfügung verlust @ 10 GHz: ≤ 0,35 dB/in, etwa 60% niedriger als STD
  • Frequenz bereich: ≥ 28GHz mmWave/56-112 Gbps Hochgeschwindigkeits-SerDes

HVLP ultimativer Rauheit vergleich

STD Rz 7-8μm
STD-Standard folie
Hoher Verlust bei hoher Frequenz
HVLP Rz ≤ 1,5 μm★
HVLP hyper sehr geringes Profil
Fast atomar glatt

Spezifikationen

Verfügbare Spezifikationen & Parameter

Five sub-grades covering the full high-speed spectrum from 25 Gbps to mmWave.

Modell Nenn dicke Areal gewicht Oberflächen rauheit Rz Schäl festigkeit Typische Anwendungen
HVLP-1 12–35 μm On request ≤ 1.5 μm ≥ 0.8 kg/cm Entry-level high-speed boards (25–28 Gbps)
HVLP-2 12–35 μm On request ≤ 1.4 μm ≥ 0.85 kg/cm High-speed backplanes (28–56 Gbps)
HVLP-3 12–35 μm On request ≤ 1.3 μm ≥ 0,9 kg/cm AI server mainboards (56 Gbps SerDes)
HVLP-4 12–35 μm On request ≤ 1.2 μm ≥ 0,9 kg/cm AI training clusters, 112 Gbps interconnects
HVLP-5 12–18 μm On request ≤ 1.0 μm ≥ 0.85 kg/cm mmWave (≥ 28 GHz), cutting-edge 6G research

Versorgungs format

  • Rollen: Breite bis zu 1295 mm
  • Blätter: bis zu 1295 × 1295 mm
  • HVLP-4/5 by advance order, lead time 4–6 weeks

Kompatible Substrate

  • PTFE (Ultra Low Loss grade)
  • Hydrocarbon resin (Df < 0.003)
  • Modified PPE/PPO, LCP liquid crystal polymer

Anwendungen

End verwendung anwendungen

Bedient jeden Schlüssels ektor der Elektronik fertigung.

AI Servers & Computing Clusters

GPU accelerator cards, TPU/NPU training boards, 56–112 Gbps SerDes high-speed interconnects

5G-A / 6G mmWave

28/39/77 GHz mmWave antenna modules, phased array radar transceiver units

Satellite Communications & Radar

Satellite-borne phased arrays, satellite internet ground stations, military electronic warfare systems

Ultra-High-Speed Switches

400GE / 800GE switch backplanes, co-packaged optics (CPO) substrates

Advanced Packaging

Redistribution layers (RDL) in 2.5D/3D IC packaging, conductive layers on glass substrates

Automotive mmWave

77 GHz mmWave radar PCBs, LiDAR control boards

Kern vorteile

Kern produkt vorteile

Aufbau differenz ierter Wettbewerbs fähigkeit.

1

Industry's Lowest Roughness

Rz ≤ 1.5 μm (HVLP-5 reaches ≤ 1.0 μm), approaching the physical limit

2

Ultra-Low Signal Loss

Df < 0.003, with insertion loss 60%+ lower than STD

3

Supports 112 Gbps+

Meets the demanding requirements of next-generation AI computing and 6G mmWave

4

Five-Grade Selection

HVLP-1 to HVLP-5 precisely matched to different frequencies and cost budgets

5

Compatible with Top Substrates

Validated on ultra-low-loss substrates including PTFE, hydrocarbon resin and LCP

6

Strategically Scarce Resource

Global capacity is limited, and leading manufacturers have secured long-term supply

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