مواد عالية التردد · مواد ركيزة عالية السرعة
رقائق نحاسية كهروبوديسية منخفضة المظهر للغاية من VLP
مادة أساسية أساسية لاتصالات 5G وخوادم الذكاء الصناعي وثنائي بي سي عالي التردد وعالي السرعة. تقلل خشونة سطحها المنخفض جدًا بشكل كبير من فقد إرسال الإشارات وتلبي متطلبات الربط البيني عالي الكثافة (HDI) وتصنيع الخطوط الدقيقة.
اتصل بنا>>ما هو فلب
ما هو فلب رقائق النحاس منخفضة جدا الشخصي ؟
يشير VLP (ملف شخصي منخفض جدًا) إلى مظهر منخفض للغاية أو مظهر منخفض للغاية رقائق النحاس ، فئة أساسية في عائلة رقائق النحاس الكهرومودعة منخفضة المستوى. يتم إنتاجه بواسطة ترسيب كهربائي دقيق: يتم تطبيق كثافة تيار عالية في محلول مطلي بالكبريتات والنحاس لإيداع النحاس على أسطوانة كاثود دوارة عالية السرعة. الرقاقة النهائية لها جانب طبل ناعم وجانب غير لامع ، سواء مع خشونة سطح منخفضة للغاية (Rz ≤ 2 ميكرون) ، وحبيبها دقيقة ومتساوية بدلاً من عمودي تقليدي.
مقارنة بالرقائق الكهربائية القياسية (STD) والرقائق المنخفضة (LP) ، تحتوي رقائق VLP على مظهر سطح أقل بكثير. تتناول هذه الخاصية بشكل مباشر التحدي الأساسي للدوائر عالية التردد وعالية السرعة: عند الترددات العالية ، يؤدي تأثير الجلد إلى انتقال التيار بشكل رئيسي على طول سطح الموصل ، وبالتالي كلما كان السطح أكثر خشونة ، زاد فقدان الإشارة (تفاقم فقدان الإدراج ايل وفقدان عازل Df). مع سطح مسطح للغاية ، يقلل VLP من فقدان إرسال الإشارة.
خصائص العملية الرئيسية
- خشونة منخفضة للغاية على كلا الجانبين: كلا جانب الأسطوانة والجانب غير اللامع يصل Rz ≤ 2 ميكرون
- الحبوب الدقيقة ذات المكابح: هيكل غير عمودي مع نظائر أفضل
- قوة التقشير العالية: رابطة قوية للركائز عالية التردد مثل راتنجات PTFE والهيدروكربون
- محتوى سبيكة منخفض: عالية النقاء مع الموصلية ممتازة ومقاومة التآكل
مقارنة الملف الشخصي السطح
مقارنة الملف الشخصي السطح
خريطة طريق التكنولوجيا: STD → LP (ملف تعريف منخفض) → VLP (ملف شخصي منخفض للغاية) → HVLP (فرط منخفض جدا الشخصي)
التطبيقات
الاستخدامات الرئيسية والتطبيقات النهائية
يتم دمج رقائق VLP مع ركائز منخفضة الخسارة لصنع صفائح نحاسية عالية التردد وعالية السرعة (CCL) ، تستخدم على نطاق واسع في الإلكترونيات المتطورة مع متطلبات صارمة لسلامة الإشارة.
معدات الاتصالات 5G
مكونات البنية التحتية 5G الأساسية مثل هوائيات المحطة الأساسية ووحدات الواجهة الأمامية RF وأجهزة mmWave ، وكلها تتطلب خسارة إدخال منخفضة للغاية.
خوادم AI ومراكز البيانات
خوادم وحدة معالجة مركزية عالية الأداء ، وبطاقات مسرع AI ، ومفاتيح وأجهزة توجيه عالية السرعة. يمكن لخادم AI واحد استخدام ما يصل إلى عشرة أضعاف حجم رقائق VLP/HVLP كخادم تقليدي.
لوحات HDI
لوحات HDI متعددة الطبقات ووصلات خط رفيع من أي طبقة في الهواتف الذكية والأجهزة القابلة للارتداء والإلكترونيات الاستهلاكية المتطورة.
إلكترونيات السيارات
لوحات التحكم في توليد الطاقة الكهربائية من EV ، رادار ADAS mmWave ، شبكات عالية السرعة داخل السيارة وأنظمة إدارة الشحن.
معدات اتصالات الشبكة
دوائر عالية التردد في طائرات خلفية التبديل عالية السرعة ، وحدات الاتصالات البصرية ، موصلات الشبكة وأدوات الاختبار والقياس.
دوائر مطبوعة مرنة (FPC)
شاشات قابلة للطي ، وحدات عرض مرنة ، وصلات ربط مرنة يمكن ارتداؤها وغيرها من التطبيقات التي تتطلب ملامح رقيقة وموثوقية عالية الانحناء.
المواصفات
المواصفات المتاحة
درجات قياسية ومخصصة بسماكات متعددة ، تغطي كل شيء من أجهزة سي بي بي سي التقليدية إلى ألواح عالية الطاقة سميكة للغاية.
| سلسلة نموذج | سمك الاسمي | الوزن في المنطقة | خشونة السطح Rz | قوة التقشير | التطبيقات النموذجية |
|---|---|---|---|---|---|
| VLP-12E | 12 ميكرون | ~ 107 جم/متر مربع | ≤ 2.0 ميكرون | ≥ 0.8 ³ | لوحات متعددة الطبقات HDI ، لوحات مرنة FPC |
| VLP-18E | 18 ميكرون | ~ 161 جم/متر مربع | ≤ 2.0 ميكرون | ≥ 0.0. 9 | لوحات متعددة الطبقات عالية التردد عالية السرعة ، لوحات رئيسية للهواتف الذكية |
| VLP-35E | 35 ميكرون | ~ 305 جم/متر مربع | ≤ 2.0 ميكرون | ≥ 1.0 ، | المحطات الأساسية 5G ، اللوحات الرئيسية لخادم AI (الدرجة السائدة) |
| VLP-70E | 70 ميكرومتر | ~ 610 جم/متر مربع | ≤ 2.5 μm | ≥ 1.0 ، | لوحات الدوائر الكهربائية عالية الطاقة ، إلكترونيات السيارات |
| VLP-105E | 105 ميكرومتر | ~ 915 جم/متر مربع | ≤ 2.5 μm | ≥ 1.0 ، | لوحات طاقة نحاسية ثقيلة ، ألواح عالية التردد للدفاع والطيران |
| سلسلة ، | 12-70 ميكرون | مخصص | ≤ 1.8 ميكرون | ≥ 1.0 ، | تطبيقات موجات mmWave فائقة التردد (≥ 28 GHz) |
تنسيق العرض
- لفات: العرض حتى 1295
- صفائح: حتى 1295 × 1295 مم
شهادات الجودة
- نظام إدارة جودة السيارات من إتف 16949
- شهادة نظام إدارة الجودة ISO 9001
- متوافقة مع مواصفات رقائق النحاس الكهربائية المودعة
لماذا فلب
مزايا المنتج
ست مزايا تقنية أساسية ، حل مادي كامل لتصنيع مواد عالية التردد وعالية السرعة.
فقدان إرسال الإشارة منخفض للغاية
يقلل سطح Rz ≤ 2 ميكرون فائق النعومة من فقدان الموصل بشكل كبير من تأثير الجلد ، مع تحسين Df إلى ≤ 0.002 ، مما يضمن سلامة الإشارة عالية السرعة. مثالية لـ 5G mmWave وbackplanes عالية السرعة في خوادم AI.
قدرة النقش بخط دقيق
يتيح هيكل الحبوب المتعادل الدقة النقش الأسرع والحفر الجانبي الأكثر اتساقًا ، ويدعم الخطوط الدقيقة عند لتر/ثانية = 25\ 25 ميكرومتر وأدناه ، مع عيوب بقع بيضاء أقل بكثير ودقة نمط أعلى.
موثوقية الترابط عالية
يحقق قوة التقشير من ≥ 0.8-1.0 مع الحفاظ على خشونة منخفضة للغاية ، مع واجهات ربط ممتازة على ركائز منخفضة الفقد مثل راتنجات PTFE والهيدروكربون وعدم وجود خطر لنقل مسحوق النحاس.
التحكم الدقيق في مقاومة الخصائص
يقلل السمك الموحد والسطح المسطح من تأخير نشر الإشارة ويحافظ على انحراف المعاوقة المميز في حدود ± 7 ٪ ، بما يلبي متطلبات المطابقة الصارمة للإشارات التفاضلية عالية السرعة.
عائد معالجة أعلى
أثناء التصفيح ، يكون السطح المنخفض المستوى أقل عرضة لاختراق صفائح prepreg (PP) الرقيقة ، مما يقلل من مخاطر ماس القصر. يعمل بشكل جيد ويناسب المكفوفين بالليزر عن طريق المعالجة ، دون إعادة بلورة النحاس بعد تصفيح متعدد.
استقرار درجة الحرارة واسعة
يحافظ على قوة ميكانيكية جيدة وأداء كهربي في درجات حرارة عالية (Tg ≥ 180 درجة مئوية) ، مع مقاومة أكسدة وتآكل ممتازة ، مما يطيل عمر خدمة ثنائي الكبسوليوم في ظروف قاسية.
فلب مقابل رقائق النحاس التقليدية: المقاييس الرئيسية مقارنة
| المقياس | رقائق معدنية قياسية (STD) | VLP ملف منخفض جدا | تحسين |
|---|---|---|---|
| خشونة السطح Rz | 6-10 ميكرون | ≤ 2 ميكرومتر | ↓ 70–80% |
| فقدان الإدراج @ 10 GHz | > 0.8 ديسيبل/في | ≤ 0.4 ديسيبل/في | ↓ ~50% |
| الحد الأدنى لعرض/تباعد الخط | ≥ 50/50 ميكرون | ≥ 25/25 ميكرون | 2 × الدقة |
| انحراف مقاومة | ± 10% | ± 7% | ↑ Control precision |
Get VLP Copper Foil Samples & Technical Data
يمكن لفريقنا الفني التوصية بدرجة سمك مثالية وركائز مطابقة لتطبيقك المحدد.