電気蒸着銅箔ファミリー・全製品範囲
HTE、RTF、LP、VLP、HVLP、BCFをカバーする6つのシリーズで、厚さは3.5〜420μmで、従来のPCBからAIサーバー、5G mmWaveまでのあらゆるニーズに対応しています。すべてのグレードはIPC-4562認定を受けており、高周波、高速回路の信頼性の高い材料基盤を提供します。
表面粗さの進化
制品シリーズ
各グレードには明確な役割があります。コストに敏感な家電製品から、要求の厳しい高周波高速アプリケーションまで、常にニーズに合ったものがあります。
高温 (180 °C) で優れた伸びを保持する特殊な銅箔: その高温伸びは、室温値の少なくとも30% です。多層PCBラミネーションは高熱を発生し、通常の銅箔は再結晶化する傾向があり、内層回路に「銅の亀裂」を引き起こします。HTEは、特殊な合金組成と熱処理プロセスを通じてこの問題を解決します。これは、中国で最大の市場シェアを持つハイエンドの銅箔カテゴリーの1つであり、多層ボードや高Tgラミネートで広く使用されています。
電着箔の光沢面も粗くなり、両面に良好な接合強度が与えられます。2つの側面は異なる程度で処理されます。誘電体に面する側は接着性を高めるために粗く、もう一方の側はエッチングを容易にするために薄くなります。多層ボードの内層ホイルとして使用すると、ラミネーション前の黒酸化物処理が不要になり、生産効率が向上します。これは、高周波、高速銅クラッドラミネート、パフォーマンスとコストのバランスの主流の選択肢の1つです。
最初に表面粗さを3〜4μmレベルに下げた移行製品。その微細な結晶構造 (<2μm) は、従来の柱状結晶ではなく、同一粒子で構成され、層状結晶化と平らな隆起があります。STDやRTFと比較して、信号伝送損失は大幅に低く、高速回路へのコスト効率の高いエントリになっています。エッチング後に銅粉末が残留物を移動せず、表面および絶縁抵抗が向上します。
精密電着によって生成された表面粗さ ≤ 2μmの超滑らかな銅箔。両側は非常に低い粗さに達し、細かい同一粒構造は等方性を保証します。表皮効果によって引き起こされる導体損失を大幅に低減し、Dfは ≤ 0.002に最適化され、PTFEや炭化水素樹脂などの低損失基板と良好に結合します。これは、5G通信やAIサーバーなどの高周波、高速アプリケーションの主力材料です。
今日の市販の銅箔の中で最も滑らかな表面であり、Rzは1〜1.5μm以下と低くなっています。VLPに基づいて、粗さの物理的限界に近づき、28 GHzを超えるmmWaveおよびAIトレーニングクラスターの超高速相互接続用に設計されています。単一のハイエンドAIサーバーは、従来のサーバーの最大10倍のHVLPを使用できます。グローバルコンピューティングインフラストラクチャが拡大するにつれて、供給は引き続きタイトです。
リチウムイオン電池アノード集電装置およびリチウム電池のコアベース材料の1つに特化した電解銅箔。PCB銅箔とは異なり、BCFは二重光沢 (両側が明るい) の表面仕上げを備えており、優れた化学的および電気化学的安定性を提供しながら、バッテリー巻き取りプロセスに十分な柔らかさを備えています。より薄いホイルは、より高いエネルギー密度への重要な道です。厚さを12μmから6μm、さらには4〜5μmに減らすと、バッテリーの重量が直接約5〜9% 削減され、内部抵抗が低下し、充電放電効率が向上します。
セレクションガイド
信号率、損失予算、アプリケーションに基づいて最良のソリューションをすばやく特定します。
アプリケーション
家電製品から最先端のコンピューティングインフラに至るまで、当社の幅広い銅箔製品ラインナップは、電子機器製造のあらゆる主要分野を網羅しています。
基地局アンテナ、RFフロントエンド、ミリ波モジュール。VLP/HVLPをPTFE基板と組み合わせることで、挿入損失を最小限に抑えることができます。
GPUアクセラレーターカード、高性能マザーボード、高速スイッチバックプレーン。HVLP-4/5は、現在のAIコンピューティングハードウェアを支える基幹材料です。
スマートフォン、タブレット、ウェアラブル機器向けの任意層配線基板。UTF RCCは、L/S ≤ 20/20 μmまでの微細線形成を可能にします。
電気自動車の電力制御、ADAS用ミリ波レーダー、車載ネットワークおよび充電管理。HTE/VLPは、車載グレードの信頼性要件を満たしています。
高速スイッチ、ルーター、光通信モジュール、試験・計測機器。RTF/VLPは、中高速デジタル回路において主流の選択肢です。
折りたたみ式スクリーン、フレキシブルディスプレイモジュール、ウェアラブル相互接続。PI基板上に形成された超薄膜のVLP/HVLPグレードは、極めて薄く、屈曲可能な設計を可能にします。
半導体パッケージ基板、基板型PCB（SLP）、FC-BGA基板。超薄膜5～9μmのUTFは、先進的なパッケージングにおける微細配線をサポートします。
高出力高周波回路基板、フェーズドアレイレーダー、衛星通信端末。極厚仕様のVLP-HTEグレード（3～12オンス）は、過酷な運転条件下でも耐久性を発揮します。
コアな優位性
6つの次元にわたる差別化された競争力。
STDの7～8 μmからHVLPの1.5 μm以下まで、9つのシリーズがシームレスな製品マトリクスを形成し、あらゆる信号レートに最適な選択肢を提供します。
VLP/HVLPのDf値は0.002を下回り、挿入損失はSTD比で50%以上低減しています。測定データは国際的なトップブランドと比較して優位性を示しています。
超薄型の3.5μmから極厚の420μmまで、ロール幅は最大1295mmに対応。HDI基板から高出力基板、PCBからリチウム電池に至るまで、当社一社でお客様のあらゆる調達ニーズにお応えします。
PTFE、炭化水素樹脂、改質エポキシ、BT樹脂、CE積層板：当社の銅箔はすべて、主流の基板システムにおいて接合強度が確認されています。
IATF 16949およびISO 9001の両規格認証を取得した生産ラインは、月間生産能力に余裕があり、長年にわたり大手CCLメーカーおよびPCB企業へ大量供給を行っています。
当社の技術サポートチームは、ラミネートの組成、層構造、目標周波数に基づいて最適な銅箔グレードをご提案し、信頼性評価の完了を支援いたします。
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